• 【發(fā)布單位】中國保險監(jiān)督管理委員會
• 【發(fā)布文號】保監(jiān)發(fā)〔2006〕124號
• 【發(fā)布日期】2006-12-21
• 【生效日期】2006-12-21
• 【失效日期】--
• 【文件來源】中國保險監(jiān)督管理委員會
• 【所屬類別】政策參考

財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第9號：半導體制造企業(yè)

財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第9號：半導體制造企業(yè)

(保監(jiān)發(fā)〔2006〕124號)





各財產(chǎn)保險公司,、再保險公司，各保監(jiān)局：



 現(xiàn)將《財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第8號：石化企業(yè)》,、《財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第9號：半導體制造企業(yè)》,、《財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第10號：港口工程》、《財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第11號：商業(yè)樓宇》印發(fā)給你們，請遵照執(zhí)行,。



 本通知所發(fā)布的指引于2007年2月1日起正式實施,。



 二○○六年十二月二十一日





財產(chǎn)保險危險單位劃分方法指引第9號：半導體制造企業(yè)



目 次

1.范圍

2.總則

3.術語和定義

4.識別關鍵風險的方法和標準

5.防護措施失效評估的方法和基本原則

6.人為因素風險評估的方法和基本原則

7.結論



 1．范圍



 本指引規(guī)定了半導體制造類業(yè)務危險單位劃分的原則、方法和內(nèi)容,。



 本指引適用于半導體制造類業(yè)務危險單位劃分的評定,。



 2．總則



 鑒于財產(chǎn)保險業(yè)務實踐的多樣性，本文旨在系統(tǒng)地歸納總結危險單位劃分操作中必須考慮的要點和可以使用的基本方法,。對于具體業(yè)務的危險單位劃分操作,，保險公司應以本文為基礎，做出符合業(yè)務實際情況的判斷,。



 3．術語和定義



 3.1 危險單位



 危險單位：一次保險事故對一個保險標的造成的損失的最大范圍,。



 3.2 其它重要術語和定義



 半導體制造，主要包括原料芯片（raw wafer）制造,、光罩（光掩膜）制造,、芯片加工、芯片封裝測試,、液晶顯示器制造,、彩色濾光片制造。



 原料芯片制造：由二氧化硅開始,，經(jīng)由電弧爐提煉,、鹽酸氯化、蒸餾后,，制成高純度多晶硅,，并將此多晶硅融解，利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒,。再經(jīng)過研磨,、拋光、切片后,，成為芯片加工廠的基本原料,。



 光罩（光掩膜）制造(mask making) ：將集成電路設計中心已設計好的電路版圖以同樣比例或減小比例轉化到一塊玻璃板上。



 芯片加工（wafer processing）：在芯片表面上和表面內(nèi)制造出半導體器件的一系列生產(chǎn)過程,。



 芯片封裝:是指芯片點測后對芯片進行封裝,，其流程主要有芯片切割、固晶,、打線,、塑封、切筋和成形,、打碼,、終測、分選和編帶。



 芯片測試:為了確保芯片的質量,，在芯片封裝前（芯片點測）或者封裝后（終測）要對其功能進行測試,。



 液晶顯示器(LCD)制造：主要分為電極圖案(Array)、面板組裝(Cell)和模塊構裝(Module)三部分,。



 －電極圖案(Array)：在玻璃基板上生成薄膜,，制造薄膜晶體管(TFT)。Array 的制程與芯片加工制程極為相似,。



 －面板組裝(Cell)：將Array 制造完成的TFT 基板與彩色濾光片(CF) 基板進行配向處理,，將二面基板組裝后進行液晶注入及封止，并貼上偏光片,。



 －模塊構裝(Module)：偏光片貼附,，進行驅動IC 接點合壓著,、完成背光板組裝,，與液晶Cell 組合成面板。



 彩色濾光片制造：彩色濾光片的作用是實現(xiàn)TFT-LCD面板的彩色化,。其制造程序一般為：首先在透明玻璃基板上制作防反射的遮光層―黑矩陣,，然后依序制作具有透光性紅、綠,、藍三原色的彩色濾光膜層,，接著再在濾光層上涂布一層平滑的保護層，最后濺鍍上透明的ITO導電膜,。



 潔凈室：半導體器件制備的區(qū)域,。室內(nèi)的潔凈度高度受控，以限制半導體可能接觸到的污染物的數(shù)量,。



 4．識別關鍵風險的方法和標準



 在本文中關鍵風險是指可能給標的造成最嚴重損失后果的風險因素,。此類風險雖然發(fā)生概率較低，但仍應被認定為劃分危險單位的主導因素,。本段介紹此類評估的基本方法,。



 從風險事故(peril)來看，半導體制造企業(yè)最主要的事故是火災爆炸,、煙熏污染,、危險性液體、氣體泄漏,、服務中斷（尤其是電力中斷）等,。由于半導體制造企業(yè)的機器設備多屬于高精密度的設備，因此,，對設備的穩(wěn)定性要求極高,，因此地震風險也是必須要考慮的風險之一。



 4.1半導體制造類企業(yè)兼有資本密集和技術密集的特性，廠房設備造價高昂,，主要生產(chǎn)區(qū)內(nèi)相互聯(lián)通,、無防火間隔，生產(chǎn)設備精密,，設備和存貨（包括在產(chǎn)品）敏感度高,，廣泛使用易燃、腐蝕性和毒性的流體,，恢復重置周期長,。由于危險集中，一旦發(fā)生火災,，其燃燒,、污染、腐蝕,、水漬及倒塌等破壞力將產(chǎn)生相乘效應,，使?jié)崈羰覂?nèi)的設備遭受嚴重損害。同時,，半導體制造類企業(yè)發(fā)生火災時通常會伴隨爆炸與毒氣泄漏,，搶救及滅火的難度非常高，因此,，火災爆炸為關鍵風險,。



 從風險條件(hazard)來看，以芯片加工企業(yè)為例,， 火災爆炸主要集中在：



 （1）化學氣相沉積：沉積某些介電質層,、導電層或半導體層的一種方法。含有需要沉積物質原子的化學品與另一種化學品反應,，將所需材料釋放出來,，并沉積在芯片上。同時,，衍生物（副產(chǎn)品）從反應室去除,。關鍵設備為CVD機；會用到易燃的硅烷,；反應溫度高,。



 （2）擴散：將少量雜質（摻雜物）加入襯底材料如硅或鍺中，并使摻入的雜質在襯底中擴散,。該工藝過程對溫度和時間依賴性很強,。關鍵設備為爐管，會用到易燃的硅烷,、磷化氫以及毒性氣體砷化三氫,，反應溫度高,。



 （3）光刻：將圖案從光刻掩膜版上轉移到芯片上，從而定義要蝕刻或者摻雜區(qū)域的工藝,。關鍵設備為掃描機或步進機,，使用易燃的光阻劑，對振動非常敏感,。



 （4）蝕刻：去除特定區(qū)域材料的工藝過程,。往往通過濕法或干法的化學反應，或者物理方法,，如濺射蝕刻實現(xiàn),。關鍵設備為蝕刻機。蝕刻機可分為干蝕刻及濕蝕刻兩類,。干蝕刻使用高電壓電流,，濕蝕刻使用強酸并可能在蝕刻過程中釋放氫氣。



 （5）離子植入：將選擇的雜質（摻雜物）通過高電壓離子轟擊的方式引入芯片內(nèi),，并在指定的區(qū)域獲得理想的電特性,。關鍵設備為離子植入機，使用強電流,。



 （6）化學機械研磨：一種使晶體平坦和拋光的工藝,。將化學去除和機械拋光結合到一起，用于晶體生長后的芯片拋平磨光和芯片的制造工藝過程中的平坦化,。關鍵設備為CMP機。



 （7）物理氣相沉積：一種金屬沉積方法,。主要有真空蒸發(fā)法和濺射法,。關鍵設備為PVD機，使用高電壓電流,。



 （8）芯片清潔：關鍵設備濕洗臺,，要關注濕洗臺本身是否使用可燃材料建造；同時,，部分濕洗臺需使用經(jīng)加熱且易燃的異丙醇作為清潔濟也應引起特別關注,。



 （9）供熱、空調,、通風系統(tǒng)及排煙（霧）管：需關注管線本身材質是否使用塑料材質以免火災經(jīng)由這類管線竄燒到全廠,。



 （10）公用設備如發(fā)電機鍋爐等，均以柴油作為主要燃料,，增加了火災爆炸的危險程度,。



 （11）化學品供應及儲存：需關注潔凈室內(nèi)化學品儲存量及可燃性化學品是否儲存在防爆柜或與潔凈室獨立的防火區(qū)域內(nèi)。



 4.2巨災風險的評估



 由于地震,、洪水,、臺風等巨災風險的特殊性,，即使保險公司按照最謹慎的原則劃分每一筆業(yè)務的危險單位，在發(fā)生重大自然災害時,，責任累積問題仍然難以避免,。因此應預先針對巨災風險進行評估，本段介紹此類評估的方法,。



 地震,、洪水、臺風等巨災風險主要與所在地自然災害的頻度和烈度,、資產(chǎn)的地域分布集中度,、建筑物的防護情況以及保險財產(chǎn)遭受損失的敏感程度有關。半導體制造類企業(yè)的工藝特點決定了其對振動,、作業(yè)環(huán)境因素等很敏感,。因此，地震風險是不容忽視的主要風險之一,，特別是在選址,、設計安裝階段，尤其要考慮到,。



 5．防護措施失效評估的方法和基本原則



 大型企業(yè)均有一系列安全防護措施,，如安全檢查、消防防火等,。作為劃分危險單位的前提,，應評估是否存在所有防護措施同時失效的可能。如不存在此種可能,，還應評估部分防護措施失效的最不利情況下,，可能發(fā)生的最大損失情況。



 半導體制造類企業(yè)的火災防護措施主要包括火災探測系統(tǒng)（比如VESDA）,、滅火系統(tǒng)（比如消防給水系統(tǒng),、噴淋系統(tǒng)、滅火器,、排氣管保護,、消防隊）和快速應急方案等。應考慮防護設施的設計,、安裝的充足性,、合理性和日常維護的充分性。



 評估火災的PML的通常方法是：劃分危險單位,，比較各種可能的火災情形,，尋找最大可能的經(jīng)濟損失。



 6．人為因素風險評估的方法和基本原則



 各類事故的發(fā)生多數(shù)與人為因素存在內(nèi)在聯(lián)系,，安全防護措施也有可能遭到人為因素的干擾,，如工作人員擅離職守,、發(fā)生事故時不能采取正確的應對措施等情況。此類問題多數(shù)是企業(yè)內(nèi)部風險管理制度滯后的體現(xiàn),，本段介紹對此類風險進行評估的方法,。



 人為因素風險的評估主要有幾個方面：



 －企業(yè)是否有完善的安全管理規(guī)章制度和災害應急計劃。



 －安全制度的執(zhí)行和監(jiān)督情況,。



 －員工的素質和培訓情況,。



 －進場作業(yè)的承包商的資質如何，是否有足夠的安全培訓,。



 －管理層對風險管理的重視程度,。



 對于半導體制造類企業(yè)而言，大量使用精密設備,，更應該重視人為因素的影響,。



 7．結論



 半導體制造企業(yè)的財產(chǎn)損失與利損損失必須作為一個危險單位考慮。



 半導體制造類企業(yè)的潔凈室廠房（含位于同一廠區(qū)的所有潔凈室廠房, all fabs in the same location）不可拆分危險單位,。同時,，配套設施應和潔凈室廠房作為一個危險單位考慮，也不可單獨拆分,。



 辦公樓,、倉庫等建筑如果與周邊建筑有任何形式的連接，則不可拆分危險單位,；如果完全獨立,，與周邊建筑無任何物理連接，原則上可以依照防火間距劃分危險單位,。一般為：



 7.1 兩棟建筑物間的距離,，至少等于其中較高一棟建筑物的高度，如間距超過20米,，則可不考慮高度。



 7.2 任何距離20米以上的分隔,，一般可以劃為不同的危險單位,；對于距離小于或等于20米的情況，劃分危險單位所要求的基本間隔距離為：



 （1）建筑物與露天堆積可燃物品間的距離：20米,。



 （2）生產(chǎn)儲存可燃性物品的建筑物與其它建筑物間的距離：15米,。



 （3）一般建筑物之間的距離：10米。



 若7.1和7.2原則不一致,，則以兩者中較大值作為劃分危險單位的間隔距離,。